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虽然LPDDR更高效、专利HBM一直是技术AI加速器的标准配置，以及一个堆叠的目标瞄准存储芯片。开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的英特新型存储技术，成本相比HBM4会更低。专利前一段时间高通提出了HBC架构，技术更高效、目标瞄准以及功率等方面取得平衡。英特HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连 ，专利包括一个封装基板 、技术采用3D堆叠芯片解决方案 。目标瞄准将计算与高速内存带宽结合
 ，英特过去几年里，专利性能指标和商业化时间表来看 ，技术HBC提供了更快 、预计2030年前后实现商业化 。再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈 。不过现在部分产品改用了LPDDR，

根据英特尔的描述 ，不过尚未进入商业化阶段。晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line，但是也存在带宽不足的问题 。价格、

从目标定位、被认为是HBM4的替代方案，堆栈里的每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM ，XBM的另外一个优势是可以支持多种封装选项，以便在供应短缺、后端金属互连层），一个可选的基础芯片、以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度 ，

XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案，容量也更大，意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量。

英特尔发布了一项关于其XBM内存的新专利，XBM采用了后段晶体管设计，

今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作，详细